韩国存储芯片巨头SK海力士CEO表示，由于AI爆发对先进存储产品HBM的需求，公司按量产计划2025年生产的HBM产品也基本售罄。

此前，公司对外宣布2024年HBM的产能已被客户抢购一空。

另一存储巨头三星电子也在紧锣密鼓的推进HBM3e的量产。公司4月30日表示，目前正供应12层堆叠HBM3E内存——36GB HBM3E 12H DRAM样品，计划今年二季度量产，其8层堆叠的HBM3 8H已开始初步量产。SK海力士的12层堆叠HBM3e内存也有望于三季度完成。

公司预测，未来专门用于人工智能的“超高速、高容量、低电力”存储器需求将会暴增，目前像HBM和高容量DRAM模块等面向AI的存储器在2023年整个存储市场的占比约为5%，预计到2028年可以达到61%。

集邦咨询也预计2023年-2025年间HBM之于DRAM产能及产值占比均将大幅向上。产能方面，2023年至2024年HBM占DRAM总产能分别是2%及5%，至2025年占比预估将超过10%。产值方面，2024年起HBM之于DRAM总产值预估可逾20%，至2025年占比有机会逾三成。